Renesas R8C/Tiny系列16位闪存MCU

[09-12 17:50:58]   来源:http://www.88dzw.com  单片机学习   阅读:8555

文章摘要: 瑞萨科技(Renesas)宣布向R8C/Tiny系列增加24个新型号,它们是小型、低管脚数、高性能16位微控制器,具有片上闪存存储器。新型号分为6组—48管脚封装的R8C/20、R8C/21、 R8C/22和R8C/23组、52管脚封装的R8C/24 和R8C/25组。在2005年6月,将从日本开始20个型号的样品发货,在2005年12月,开始发售其它四个R8C/24 和R8C/25型号(具有48 或64k字节片上闪存存储器)。 在R8C/Tiny系列产品中增加这些产品组,使该系列的应用领域更广泛,包括汽车和工业设备。 这些新产品组提供下面的特性。 (1) 使定时器的运行

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瑞萨科技(Renesas)宣布向R8C/Tiny系列增加24个新型号,它们是小型、低管脚数、高性能16位微控制器,具有片上闪存存储器。新型号分为6组—48管脚封装的R8C/20、R8C/21、 R8C/22和R8C/23组、52管脚封装的R8C/24 和R8C/25组。在2005年6月,将从日本开始20个型号的样品发货,在2005年12月,开始发售其它四个R8C/24 和R8C/25型号(具有48 或64k字节片上闪存存储器)。

在R8C/Tiny系列产品中增加这些产品组,使该系列的应用领域更广泛,包括汽车和工业设备。

这些新产品组提供下面的特性。

(1) 使定时器的运行速度提供一倍
先进的16位定时器提供最高达40 MHz的操作速度,是先前R8C/Tiny系列型号的2倍。操作速度提高了一倍,改善了定时计数器的分辨率、可以在更高的准确度下实现精细的电动机控制。

(2) 新型CAN*1和LIN*2接口
CAN和 LIN这些事实上的业界标准新接口为其提供LAN支持。在R8C/22和R8C/23组中,提供CAN接口,在所有的组中有LIN接口,使汽车和工业产品可以在很低的成本下,提供CAN 和 LIN支持。

(3) 提高了片上闪存存储器的功能
如果闪存存储器改写过程中产生紧急处理中断,必须给予中断处理优先权。在新型R8C/Tiny系列产品中,从闪存存储器改写转到中断处理的时间已经缩短到少于先前型号的二十分之一,可以即刻转到中断处理,提高了产品的响应、扩展了应用的范围。另外,在闪存存储器的一个区擦除数据时,可以在另一个区进行写操作。这有助于使用数据闪存代替先前使用的外部EEPROM(电可擦除只读存储器),数据闪存是用于数据存储的片上闪存存储器。

(4) 高可靠性、大温度范围的产品系列,用于汽车应用
R8C/20、R8C/21、R8C/22和R8C/23这4个组具有高可靠性、高温度范围(-40- 125°C) 的产品,用于汽车应用。除了尺寸小外,这些组的有些产品具有片上CAN和/或LIN接口、监视定时器、EEPROM和副微控制器,先前它们是单独的外部元件,现在可以在单个R8C/Tiny系列芯片中实现,使这些产品非常适用于车体控制和高性能系统副微处理器和监视微控制器。

这6组新产品都具有一个R8C CPU 16位CPU核心,提供不同的特性组合,如下面所示。

(1) R8C/20:48针、没有数据闪存、85°C和125°C型
(2) R8C/21:48 针、数据闪存、85°C 和125°C型
(3) R8C/22:48针、没有数据闪存、85°C 和125°C型、CAN接口
(4) R8C/23:48针、数据闪存、85°C 和125°C型、CAN接口
(5) R8C/24:52针、没有数据闪存、只有85°C型、32 kHz振荡电路
(6) R8C/25:52针、数据闪存、只有85°C型、32 kHz振荡电路

所有组中先进的16位定时器具有更高的最高操作速度。一个片上振荡器可以产生40 MHz的时钟,从而实现高速16位定时器操作。因此,与目前产品的最高20 MHz的定时器操作相比,新产品的定时器计数器的分辨率提高了一倍,提高了产品的控制精度,实现了更高的产品性能。

LAN支持中增加了 CAN和LIN接口。R8C/22和R8C/23 组中提供支持16个信息槽的CAN接口;在所有组中都包括LIN接口。大多数处理通过硬件进行,使用8位定时器通道和UART通道,几乎排除了软件处理的工作量。这样,简化了支持LAN产品的开发,使这些新型号适用于汽车和工业应用。

片上闪存存储器具有改进的悬挂功能。与先前的R8C/Tiny系列型号相比,在闪存存储器编程或擦写过程中出现中断时,转到中断处理的时间缩短了95%。即使在闪存存储器改写过程中,也可以即刻转到中断处理,提高了产品的响应。尽管目前闪存存储器擦写过程中的电流消耗增加了,在擦写过程中使用悬挂功能可以使电流变得平缓,从而降低电流消耗。可以在对闪存存储器一个区进行擦写操作时,对另一个区进行编程,可以很容易地代替先前使用的外部EEPROM,数据闪存是片上闪存存储器,可以进行1万次改写操作。

与目前的型号相比,还提供了大量的其它片上外设功能,包括高精度的片上振荡器和电压检测电路。



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