非接触式e5551读写器的开发
[09-12 17:51:25] 来源:http://www.88dzw.com 单片机学习 阅读:8254次
文章摘要:本文以曼彻斯特编码、RF/32为例介绍e5551软件编程。采用曼彻斯特编码调制的数据,位数据1对应着电平上跳,位数据0对应着电平下跳。设RF=125kHz,位传送速率Bitrate=RF/32,则每传送一位数据的时间(位传送周期)为:1P=32/125kHz=256μs图6 读卡流程图 在一串数据序列中,两个相邻位数据传送跳变时间间隔为1P。若相邻位数据极性相同,则在该两次数据传送电平跳变之间,有一次非数据传送的电平空跳。程序开始时先等待一个TS=270μs~330μs高电平同步信号,然后按上述编码规则逐个检测电平变化并记录对应时间T1或T2,T1=90μs~180μs,T2=210μs
非接触式e5551读写器的开发,标签:单片机开发,单片机原理,单片机教程,http://www.88dzw.com本文以曼彻斯特编码、RF/32为例介绍e5551软件编程。采用曼彻斯特编码调制的数据,位数据1对应着电平上跳,位数据0对应着电平下跳。设RF=125kHz,位传送速率Bitrate=RF/32,则每传送一位数据的时间(位传送周期)为:
1P=32/125kHz=256μs
图6 读卡流程图
在一串数据序列中,两个相邻位数据传送跳变时间间隔为1P。若相邻位数据极性相同,则在该两次数据传送电平跳变之间,有一次非数据传送的电平空跳。程序开始时先等待一个TS=270μs~330μs高电平同步信号,然后按上述编码规则逐个检测电平变化并记录对应时间T1或T2,T1=90μs~180μs,T2=210μs~300μs。如前一数据为1的情况下,测得高电平时间为T1,对应下降沿无效,应接着测下一上升沿并得1;若测得高电平时间为T2,对应下降沿有效并得0。如前一数据为0的情况下,测得低电平时间为T1,对应上升沿无效,应接着测下一下降沿并得0;若测得低电平时间为T2,对应上升沿有效并得1。据此即可以串行方式读出卡内的数据。读卡程序流程图如图6所示。
写卡时,写0,CFE=1持续192μs,然后CFE=0持续280μs;写1,CFE=1持续448μs,然后CFE=0持续280μs。写卡程序流程图如图7所示。
e5551卡是一种低成本非接触式卡,虽然容量较小,但也能用于许多场合,如门禁系统、考勤系统等。如果硬件和软件设计合理,进一步提高其可靠性和安全性,再加上成本低廉、读写电路简单,应用必然更加广泛。
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