功率场效应管的原理、特点及参数

文章摘要：图1-6：栅极电荷特性（8）正向偏置安全工作区及主要参数MOSFET和双极型晶体管一样，也有它的安全工作区。不同的是，它的安全工作区是由四根线围成的。 最大漏极电流IDM：这个参数反应了器件的电流驱动能力。 最大漏源极电压VDSM：它由器件的反向击穿电压决定。 最大漏极功耗PDM：它由管子允许的温升决定。 漏源通态电阻Ron：这是MOSFET必须考虑的一个参数，通态电阻过高，会影响输出效率，增加损耗。所以，要根据使用要求加以限制。图1-7：正向偏置安全工作区上一页 [1] [2]

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图1-6：栅极电荷特性
（8）正向偏置安全工作区及主要参数
MOSFET和双极型晶体管一样，也有它的安全工作区。不同的是，它的安全工作区是由四根线围成的。
  最大漏极电流IDM：这个参数反应了器件的电流驱动能力。
  最大漏源极电压VDSM：它由器件的反向击穿电压决定。
  最大漏极功耗PDM：它由管子允许的温升决定。
  漏源通态电阻Ron：这是MOSFET必须考虑的一个参数，通态电阻过高，会影响输出效率，增加损耗。所以，要根据使用要求加以限制。

图1-7：正向偏置安全工作区

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