模拟电路网络课件 第六节:二极管基本电路及其分析方法

文章摘要：模拟电路网络课件 第六节:二极管基本电路及其分析方法2.4 二极管基本电路及其分析方法2.4.1 二极管正向V-I模型一、理想模型 理想二极管的V–I 特性如图(a)蓝色线所示，虚线表示实际二极管的V–I 特性。图(b)为它的代表符号。二极管的理想模型 由图(a)可见，在正向偏置时，其管压降为0V，而当二极管处于反向偏置时，认为它的电阻为无穷大，电流为零。在实际的电路中，当电源电压远比二极管的管压降大时，利用此法来近似分析是可行的。二极管的恒压降模型二、二极管的恒压降模型 二极管的恒压降模型 二极管的恒压降模型及代表符号如图所示。该模型建立的基本思想是当二极管导通后，其管压降可认为是恒定的，不

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模拟电路网络课件 第六节:二极管基本电路及其分析方法

2.4 二极管基本电路及其分析方法

2.4.1 二极管正向V-I模型

一、理想模型
 
理想二极管的V–I 特性如图(a)蓝色线所示，虚线表示实际二极管的V–I 特性。图(b)为它的代表符号。

二极管的理想模型
 
由图(a)可见，在正向偏置时，其管压降为0V，而当二极管处于反向偏置时，认为它的电阻为无穷大，电流为零。在实际的电路中，当电源电压远比二极管的管压降大时，利用此法来近似分析是可行的。

二极管的恒压降模型

二、二极管的恒压降模型
 
二极管的恒压降模型
 
二极管的恒压降模型及代表符号如图所示。该模型建立的基本思想是当二极管导通后，其管压降可认为是恒定的，不随电流而变，且导通电压的典型值为0.7V（硅管）。此模型只有当二极管的电流 iD近似等于或大于1mA时才是正确的。该模型提供了一种合理的近似，因此应用也较广。
二极管的恒压降模型

三、二极管的折线模型

二极管的折线模型
为了较真实地描述二极管V-I 特性，二极管折线模型，在恒压降模型的基础上，作一定的修正，即认为二极管的管压降不是恒定的，而是随着通过二极管电流的增加而增加。所以，在模型中用一个电池和一个电阻rD来作进一步的近似。

二极管折线模型如图(a)所示。这个电池的电压选定为二极管的门坎电压Vth，约为0.5V（硅管）。至于rD的值，可以这样来确定，即当二极管的导通电流为1mA时，管压降为0.7V，于是rD的值可计算如下：

由于二极管特性的分散性，Vth和rD的值不是固定不变的。

四、二极管的小信号模型

二极管小信号模型如图(b)所示。如果二极管在图（a）中的静态工作点Q（vD=VD，iD=ID）附近工作，则可把V-I 特性看成为一条直线，其斜率的倒数就是所要求的小信号模型的微变电阻rd，

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