模拟电路网络课件 第二十九节:专用型集成电路运算放大器
[09-12 12:20:53] 来源:http://www.88dzw.com 电路基础 阅读:8685次
文章摘要:T11、R和D2构成输出电流过载保护环节。R为过载电流取样电阻。当输出端“拉电流”(流向输出端,如iO实线所示)大于20mA时,T11导通而分流iC11,使T7的基极电流iB7减小,iE9减小,抑制了输出电流的增大。同样,当“灌电流”(流入输出端,如iO虚线所示)大于20mA时,D2导通,T8的栅极电位vg8上升,T10的基极电位vB10降低,iC10减小,抑制了输出电流的增大。P沟道JEFT T3、T4和外接电位器Rp构成两个电流源,Rp可调节T3、T4两管漏极电流的相对比例,从而改变送入中间电压放大级的输入电流,实现失调电流的补偿。电容C为电路内部的密勒补偿电容,以增大运放的单位增益带宽B
模拟电路网络课件 第二十九节:专用型集成电路运算放大器,标签:电子电路基础,模拟电路基础,http://www.88dzw.comT11、R和D2构成输出电流过载保护环节。R为过载电流取样电阻。当输出端“拉电流”(流向输出端,如iO实线所示)大于20mA时,T11导通而分流iC11,使T7的基极电流iB7减小,iE9减小,抑制了输出电流的增大。同样,当“灌电流”(流入输出端,如iO虚线所示)大于20mA时,D2导通,T8的栅极电位vg8上升,T10的基极电位vB10降低,iC10减小,抑制了输出电流的增大。
P沟道JEFT T3、T4和外接电位器Rp构成两个电流源,Rp可调节T3、T4两管漏极电流的相对比例,从而改变送入中间电压放大级的输入电流,实现失调电流的补偿。电容C为电路内部的密勒补偿电容,以增大运放的单位增益带宽BWG(fT)。
LF356各级的偏置电流都较大,使放大电路对电容的充电电流较大,因此SR和fT都较大,电路的总电流和功耗较大。其主要参数见上节运算放大器参数表。与LF356性能类似的有LF355、LF347(四运放)。更高输入电阻的还有全MOS-FET的CA3130。更小偏置电流的有AD515、LF0052等。
由FET作输入级,不仅输入电阻高,输入偏置电流低,而且具有高速、宽带和低噪声等优点,但失调电压较大。
目前高输入阻抗型运放广泛用于生物医学电信号测量的精密放大电路、有源滤波器、取样-保持放大器、对数和反对数放大器和模数、数模转换器等。
2.高精度、低漂移型
这种类型的运放,一般用于毫伏量级或更低的微弱信号的精密检测、精密模拟计算、高精度稳压电源及自动控制仪表中。要求DVIO/DT<2mV/℃、DIIO/DT<200pA/℃、AVO≥120dB、KCMR≥110dB,vn(噪声电压)<5nV/
3.高速型
对这种类型的运放,要求转换速率SR>30V/ms,最高可达几百伏/微秒,单位增益带宽BWG>10MHz。一般用于快速A/D和D/A转换器、有源滤波器、高速取样-保持电路、锁相环、精密比较器和视频放大器中。实现高速的主要措施是,在信号通道中尽量采用NPN型管,以提高转换速率;同时加大工作电流,以使电路中各种电容的电压变化加快;或在 电路结构上采用FET和BJT相兼容的BiFET,或用全MOSFET结构,使电路的输入动态范围加大,因而电路转换速率也增加。目前产品有mA715、LH0032和AD9618等,其中mA715的SR<100 V/ms,BWG=65MHz,而AD9618的SR高达1800V/ms,BWG=8 GHz。
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