移动终端中三类射频电路的发展趋势

文章摘要：，这一阶段的典型芯片如INFINEON公司的PMB6253，采用了360MHz的中频滤波器完成收发信号的上、下变频处理和变换。 第二阶段的射频收发芯片是把经典的射频超外差系统构架体系进行了调整，把第一本振的频率大大提高，这个通过第一本振变频后，得到频率较低的中频信号，在中频通路，集成一个信道滤波器完成中频信号的选频和滤波，再经过第二本振变频滤波后得到射频I、Q信号，送入基带芯片进行处理。这一阶段的射频收、发芯片的最大特点是消除了外置中频滤波器，有效地降低了终端成本。低中频射频收发芯片典型的如台湾MEDIA TEK公司的MT612X芯片。 第三阶段的射频收发芯片采用了一个锁相环，一个VCO构成一

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，这一阶段的典型芯片如INFINEON公司的PMB6253，采用了360MHz的中频滤波器完成收发信号的上、下变频处理和变换。

第二阶段的射频收发芯片是把经典的射频超外差系统构架体系进行了调整，把第一本振的频率大大提高，这个通过第一本振变频后，得到频率

较低的中频信号，在中频通路，集成一个信道滤波器完成中频信号的选频和滤波，再经过第二本振变频滤波后得到射频I、Q信号，送入基带芯

片进行处理。这一阶段的射频收、发芯片的最大特点是消除了外置中频滤波器，有效地降低了终端成本。低中频射频收发芯片典型的如台湾

MEDIA TEK公司的MT612X芯片。

第三阶段的射频收发芯片采用了一个锁相环，一个VCO构成一个本振信号，收、发信号通过一次变频后，直接变换为I、Q信号，由于本振信号等

于工作信号频率，变频后的IF=0，直接可以去掉中频滤波器。

采用直接变频射频构架的收、发芯片需要解决本振VCO频谱的INJECTION PULLING、本振隔离、本振SELF MIXING以及DC OFFSET问题，通过解决

上述问题，RF稳定成熟后的收、发芯片目前已经得到广泛的使用。典型的如TI公司的TRF6151和MEDIA TEK公司的MT6139等。

图4：MT612X低中频射频收发芯片架构图。

由于直接变频(DCR/DCT)射频构架有效地减少了芯片内部功能电路，以及中频滤波器，在成本和体积上比第一、二阶段的射频收发芯片有可观的

降低和减小，成为目前最流行使用的射频收发芯片。因此，DCR/DCT的收发芯片是以后射频收发芯片发展的主要趋势和主要应用。

图5：采用直接变频的射频收发芯片架构图。

图6：直接变频(DCR/DCT)发射电路原理图。

图7：直接变频(DCR/DCT)接收电路原理图。

外置晶体频率源成为主流

射频频率源主要来自射频收发芯片内部所集成的小数分频PLL的频率合成器，精准的频率提供给各本振所使用，锁相环PLL所使用的参考基准频

率需要外置的晶体或晶振所提供。

图8：由内含三点式电路的晶振构成的频率源架构。

在移动通信终端外置基准频率源发展过程中，主要经历了两个阶段：第一阶段采用温度补偿晶振阶段；第二阶段采用晶体阶段。温度补偿晶振

可以提供高稳定度的频率，晶振内部包含了构成振荡器的三点式电路构架，温度补偿晶振的使用为第一阶段。随着射频收发芯片集成度的提高

，频率源的三点式电路集成到收发信机芯片内部，外置只需要一个简单的晶体来完成，有效地降低了移动终端的BOM成本，外置晶体作为频率源

的射频构架目前获得了广泛的使用。

本文小结

通过上述三个方面的说明，器件的小型化和低成本化两个主要的推动力推进着移动终端射频元器件在各自领域向前发展，集成的射频前端FEM，

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