常用元器件的识别

[09-08 11:43:55]   来源:http://www.88dzw.com  电路基础   阅读:8463

文章摘要:e-b极开路 Ved>1v Ved=V+e-b极短路 Veb=0v Vcd=0v Vbd升高Re开路 Ved=0vRb2开路 Vbd=Ved=V+Rb2短路 Ved约为0.7VRb1增值很多,开路 Vec<0.5v Vcd升高e-c极间开路 Veb=0.7v Vec=0v Vcd升高b-c极间开路 Veb=0.7v Ved=0vb-c极间短路 Vbc=0v Vcd很低Rc开路 Vbc=0v Vcd升高 Vbd不变Rb2阻值增大很多 Ved约为V+ Vcd约为0VVed电压不稳 三极管和周围元件有虚焊类 别故障发生部位 测 试 要 点Rb1开路 Vbe=0 Vcd=V+ Ved=0R

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e-b极开路 Ved>1v Ved=V+
e-b极短路 Veb=0v Vcd=0v Vbd升高
Re开路 Ved=0v
Rb2开路 Vbd=Ved=V+
Rb2短路 Ved约为0.7V
Rb1增值很多,开路 Vec<0.5v Vcd升高
e-c极间开路 Veb=0.7v Vec=0v Vcd升高
b-c极间开路 Veb=0.7v Ved=0v
b-c极间短路 Vbc=0v Vcd很低
Rc开路 Vbc=0v Vcd升高 Vbd不变
Rb2阻值增大很多 Ved约为V+ Vcd约为0V
Ved电压不稳 三极管和周围元件有虚焊
类 别 故障发生部位 测 试 要 点
Rb1开路 Vbe=0 Vcd=V+ Ved=0
Rb1短路 Vbe约为1v Ved=V-Vbe
Rb2短路 Vbd=0v Vbe=0v Vcd=V+
Re开路 Vbd升高 Vce=0v Vbe=0v
Re短路 Vbd=0.7v Vbe=0.7v
Rc开路 Vce=0v Vbe=0.7v Ved约为0v
c-e极短路 Vce=0v Vbe=0.7v Ved升高
b-e极开路 Vbe>1v Ved=0v Vcd=V+
b-e极短路 Vce约为V+ Vbe=0v Vcd约为0v
c-b极开路 Vce=V+ Vbe=0.7v Ved=0v
c-b极短路 Vcb=0v Vbe=0.7v Vcd=0v

八、场效应晶体管放大器
  1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。
  2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。如图1-1-1是两种型号的表示符号:
  3、场效应管与晶体管的比较
  (1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
  (2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
  (3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。
  (4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

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