C8051F35X单片机内部Flash存储器的擦写方法

文章摘要：3 Flash数据擦除 采用软件MOVX指令对Flash存储器编程，在使用MOVX指令前，先允许Flash写操作，其过程为：1)将程序存储写允许位PSWE(PSCTL.0)设置为逻辑“1”，这将使MOVX操作指向目标Flash存储器；2)按顺序向Flash锁定寄存器(FLKEY)写入Flash关键码，PSWE位将保持置位状态，直到被软件清除。 在采用软件修改Flash内容前，PSWE必须置为逻辑“l”；而在软件擦除Flash存储器前，PSWE位和PSEE位都必须置为逻辑“1”。写入Flash存储器操作可清除数据位，但不能使数据位置“1”，只有擦除操作能将Flash中的数据位置为“l

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3 Flash数据擦除
    采用软件MOVX指令对Flash存储器编程，在使用MOVX指令前，先允许Flash写操作，其过程为：1)将程序存储写允许位PSWE(PSCTL.0)设置为逻辑“1”，这将使MOVX操作指向目标Flash存储器；2)按顺序向Flash锁定寄存器(FLKEY)写入Flash关键码，PSWE位将保持置位状态，直到被软件清除。
    在采用软件修改Flash内容前，PSWE必须置为逻辑“l”；而在软件擦除Flash存储器前，PSWE位和PSEE位都必须置为逻辑“1”。写入Flash存储器操作可清除数据位，但不能使数据位置“1”，只有擦除操作能将Flash中的数据位置为“l”。所以在写入新值前，必须先擦除待编程地址。Flash存储器是以512字节的扇区为单位构成的，一次擦除操作将擦除整个扇区(将扇区内的所有字节置为OXFF)。
    擦除一个扇区的步骤如下：1)禁止中断；2)置“l”程序存储器擦除允许位(PSCTL中的PSEE)，以允许Flash扇区移除：3)置“1”程序存储器写允许位(PSCTL中的PSWE)，允许Flash写入；4)向FLKEY写第1个关键码：0XA5；5)向FLKEY写第2个关键码：0XFl；6)用MOVx指令向待擦除页内的任何一个地址写入1个数据字节；7)清除PSWE和PSEE位；8)重新允许中断。

4 Flash数据写入
    Flash存储器可一次写1个字节，也可一次写1组字节，寄存器PFEOCN中的FLBWE位为一次Flash写操作可写入1个或2个字节。当FLBWE清零时，每次Flash写操作写入1个字节；当FLBWE位置为“1”时，每次Flash写操作写入2个字节(块写)。块写时间与单字节写的时间相同，在向Flash存储器写入大量数据时可节省时间。在单字节写Flash时，分别写入字节数据，每个MOVX写指令执行一次Flash写操作。C805lF35X的Flash存储器写入程序代码如下：

5 Flash数据读取
    由于Flash读操作采用MOVC指令实现，因此用于读操作的Flash指针必须是CODE类型。由于Flash写操作是用MOVX指令实现的，所以写入或擦除操作的Flash指针必须是XDATA类型。对于C8051F35X的Flash存储器读取数据程序代码如下：
  

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