基于单片机和PSD设计的数制化电源

[10-10 20:38:44] 来源：http://www.88dzw.com 单片机学习阅读：8408次

文章摘要：1.2 电压波形重组合 先将拟要产生的波形分成若干个垂直条块，这些条块的宽度远小于波形的周期，可看作为具有固定幅值的矩形条块。这样给定的电压波形就可用上述的数制化单元迭加得到，如图２所示。使用二进制的单元系列不仅可减少单元数目，简化结构，而且极易利用单片机来进行控制。1.3 主电路部分由以上电压迭加分析可知，各数制化电压单元应串联起来，并且每个单元应串联一个可控制其导通或关断的电子开关，构成电压合成器VS。综合考虑目前电力电子器件的性能，这里选用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作电子开关。这是一种电压控制型器件，其输入阻抗高、驱动电路简单、驱动功率小、开关速度高、开关损耗小；它的通态压降比VK

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1.2 电压波形重组合 

先将拟要产生的波形分成若干个垂直条块，这些条块的宽度远小于波形的周期，可看作为具有固定幅值的矩形条块。这样给定的电压波形就可用上述的数制化单元迭加得到，如图２所示。使用二进制的单元系列不仅可减少单元数目，简化结构，而且极易利用单片机来进行控制。

1.3 主电路部分

由以上电压迭加分析可知，各数制化电压单元应串联起来，并且每个单元应串联一个可控制其导通或关断的电子开关，构成电压合成器VS。综合考虑目前电力电子器件的性能，这里选用绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作电子开关。这是一种电压控制型器件，其输入阻抗高、驱动电路简单、驱动功率小、开关速度高、开关损耗小；它的通态压降比VKMOS还低，特别是在大电流区段；且在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数，而在以上区段则具有正温度系数，因此在并联使用时具有自动调节电流的能力。另外，IGBT的安全工作区比GTR宽，而且还具有耐脉冲电流冲击的性能，特别适于作高频开关使用。