有关应对D类放大器设计挑战的可升级方案

文章摘要：IRS2092内置了死区时间控制，设计师可以根据所选的MOSFET来选择死区时间宽度。相对于外部死区时间控制设计，集成式死区时间插入的宽度是有保证的，设计师无需估计最坏情况。 过载保护 由于MOSFET的功率耗散正比于负载电流的平方，保护电路通常监控负载电流来防止MOSFET在过流情况下失效。通常采用一个外部分流电阻来检测负载电流，但电阻选择和噪声滤波等因素非常关键，可能会增加整个设计的开发时间、成本和物理尺寸。 保护电路还要求支持对功率级中关键电流环路路径中的杂散电感所引起的额外开关噪声进行补偿校正。 在集成式构建模块芯片中，内置过载保护取决于MOSFET的通态电阻。集成式电路监控输

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IRS2092内置了死区时间控制，设计师可以根据所选的MOSFET来选择死区时间宽度。相对于外部死区时间控制设计，集成式死区时间插入的宽度是有保证的，设计师无需估计最坏情况。 

过载保护 

由于MOSFET的功率耗散正比于负载电流的平方，保护电路通常监控负载电流来防止MOSFET在过流情况下失效。通常采用一个外部分流电阻来检测负载电流，但电阻选择和噪声滤波等因素非常关键，可能会增加整个设计的开发时间、成本和物理尺寸。 

保护电路还要求支持对功率级中关键电流环路路径中的杂散电感所引起的额外开关噪声进行补偿校正。 

在集成式构建模块芯片中，内置过载保护取决于MOSFET的通态电阻。集成式电路监控输出电流，当超过预设门限时将切断PWM。另外，MOSFET通态电阻较大的正温度系数随着结温的升高会降低过流门限，从而增强了放大器的安全性。 

结论：即插即用型可升级的Ｄ类放大器 

通过上述四个关键功能的集成，IRS2092提供了一个即插即用型D类放大器解决方案，它已经实现了非常重要的受保护的PWM开关级电路。它的高集成度解决了许多设计挑战，而且还具有很大的灵活性，允许工程师定制某些功能来满足特定的设计需求。 

调整放大器使其提供不同的输出功率电平或者实现不同数量的通道同样非常容易，只需选择合适的外部MOSFET对，并相应调整死区时间以及过载保护门限。外部MOSFET还能让工程师优化EMI和效率来满足应用要求。 

最后，完备的可升级能力还允许在多个产品中共享一个公共基础设计，并且IRS2092将随着终端产品的发展而不断缩减其成本和上市时间。 

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