用Q曲线设计MPP环形磁芯

文章摘要：图所给出是根据经验数据总结得到360°绕法的Q曲线。分布电容的典型范围如下：当磁芯外径小于0.5in时，是1O～25pF；当磁芯外径在0.5～1.5in时，是25～50pF；当磁芯外径大于1.5in时，是50～80pF。曲线对应了一定尺寸范围磁导率分别为60和125时的磁芯的Q值曲线。对给定的尺寸和磁导率，Q曲线在低频段重合在一起，其损耗几乎完全取决于绕组的直流电阻。在这个区域内的Q值用下式近似：图 MPP环形磁芯的Q值曲线式中，f是工作频率；Ω／H是在表给出的磁芯每H电阻值，当μ≠125时，该值需要取修正后的。当工作频率增加时，曲线开始出现分岔，并在随后达到最大值。在最大值频率处的铜损和磁芯

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　　图所给出是根据经验数据总结得到360°绕法的Q曲线。分布电容的典型范围如下：当磁芯外径小于0.5in时，是1O～25pF；当磁芯外径在0.5～1.5in时，是25～50pF；当磁芯外径大于1.5in时，是50～80pF。

　　曲线对应了一定尺寸范围磁导率分别为60和125时的磁芯的Q值曲线。对给定的尺寸和磁导率，Q曲线在低频段重合在一起，其损耗几乎完全取决于绕组的直流电阻。在这个区域内的Q值用下式近似：

　　图 MPP环形磁芯的Q值曲线

　　

　　
　　式中，f是工作频率；Ω／H是在表给出的磁芯每H电阻值，当μ≠125时，该值需要取修正后的。

　　当工作频率增加时，曲线开始出现分岔，并在随后达到最大值。在最大值频率处的铜损和磁芯损耗相等。在这个区域之后，磁芯损耗开始占主导地位，同时由于接近自谐振频率，介质损耗也在增加，导致Q值将急剧地下降。设计磁芯应该尽可能选取曲线的上升部分。因为在这种情况下可以严格地控制损耗，并且有效电感相对于频率大致保持为一个常数。