场效应三极管介绍
[09-12 11:23:36] 来源:http://www.88dzw.com 电路基础 阅读:8595次
文章摘要:金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压VG 增大时, p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时,电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时,源漏电极之间有较大的电流IDS流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压VT。当 VGS>VT并取不同数值时,反型层的导电能力将改变,在相同的VDS下也将产生不同的IDS, 实现栅源电压VGS对源漏电流IDS的控制。场效应管(FET)是利用电场效应控制电流大
场效应三极管介绍,标签:电子电路基础,模拟电路基础,http://www.88dzw.com金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压VG 增大时, p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时,电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时,源漏电极之间有较大的电流IDS流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压VT。当 VGS>VT并取不同数值时,反型层的导电能力将改变,在相同的VDS下也将产生不同的IDS, 实现栅源电压VGS对源漏电流IDS的控制。
场效应管(FET)是利用电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小,具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点,在大规模和超大规模集成电路中被广泛应用。
FET和双极型三极管相类似,电极对应关系是b®G、e®S、c®D;由FET组成的放大电路也和三极管放大电路相类似,三极管放大电路基极回路需要一个偏置电流(偏流),而FET放大电路的场效应管栅极没有电流,FET放大电路的栅极回路需要一个合适的偏置电压(偏压)。
FET组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别在于:场效应管是电压控制型器件,靠栅源之间的电压变化来控制漏极电流的变化,放大作用以跨导gm来体现;三极管是电流控制型器件,靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化,放大作用由电流放大倍数β来体现。
场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态。在分析三种组态时,可与双极型三极管的共射、共集、共基对照,体会二者间的相似与区别之处。
欢迎转载,信息来自(www.88dzw.com)
Tag:电路基础,电子电路基础,模拟电路基础,电路基础
- 上一篇:电磁干扰概述
《场效应三极管介绍》相关文章
编辑推荐
分类导航
最新更新
- · 什么是系统仿真
- · 什么是CPCI
- · 英特尔 Parallel Composer入门
- · 什么是支持数据库,什么是中宏数据库
- · 什么是数据交换技术
- · 什么是内部数据传输率
- · 什么是空间数据交换中心
- · 什么是差异备份
- · 什么是备份集
- · 什么是映像备份
热门排行
- · IGBT模块
- · 什么是24脉波整流变压器
- · 自动变速器不能强制降挡故障原因、诊断与排
- · 什么是MD机
- · 中心频率,什么是中心频率
- · 功率单位mw和dbm的换算表
- · 中值滤波模块设计思路
- · 反馈振荡器的原理
- · 气体激光器简介
- · 数制与进位记数法