晶体管和二极管区别

文章摘要：晶体管和二极管区别首先说明一下：晶体管，就是指的半导体器件，二极管也是晶体管里的一种。下面我们详细介绍一下二极管和三极管的特性及功能原理。半导体二极管及其特性半导体二极管按其结构和制造工艺的不同，可以分为点接触型和面接触型两种。点接触二极管是在P型硅晶晶体或N型锗晶体的表面上，安装上一根用钨或金丝做成的触针，与晶体表面接触而成，然后加以电流处理，使触针接触处形成一层异型的晶体。很据所用金属丝的不同，分别称之为钨键二极管和金键二极管。国产2APl一7和2APll—17型半导体二极管即属此类。但前者触针是钨丝，后者是金丝。面接触型二极管多数系用合金法制成。在N型锗晶体的表面上安放上一块铟，然后在高

晶体管和二极管区别,标签：电子电路基础,模拟电路基础,http://www.88dzw.com

晶体管和二极管区别

首先说明一下：晶体管，就是指的半导体器件，二极管也是晶体管里的一种。下面我们详细介绍一下二极管和三极管的特性及功能原理。

半导体二极管及其特性

　　半导体二极管按其结构和制造工艺的不同，可以分为点接触型和面接触型两种。

　　点接触二极管是在P型硅晶晶体或N型锗晶体的表面上，安装上一根用钨或金丝做成的触针，与晶体表面接触而成，然后加以电流处理，使触针接触处形成一层异型的晶体。很据所用金属丝的不同，分别称之为钨键二极管和金键二极管。国产2APl一7和2APll—17型半导体二极管即属此类。但前者触针是钨丝，后者是金丝。

　　面接触型二极管多数系用合金法制成。在N型锗晶体的表面上安放上一块铟，然后在高温下使一部分锗熔化于铟内。接着将温度降低，使熔化于姻内的锗又沉淀而出，形成P型晶体。此P型晶体与末熔化的N型晶体组成P—N结。

　　点接触型半导体二极管具有较小的接触面积，因而触针与阻挡层间的电容饺小(约1微微法)；而面接触型二极管的极间电容较大，约为15一20微微池。因此，前者适合于在频率较高的场合工作，而后者只适宜于频率低于50千赫以下的地方工作；另外前者允许通过的电流小，在无线电设备中宜作检波用，后者可通过较大之电流，多用于整流。
常用的半导体二极管其特性指标参数意义如下：

　　1.工作频率范围f(MHz)：指由于P—N结电容的影响，二极管所能应用的频率范围。

　　2.最大反向电压Vmax(V)：指二极管两端允许的反向电压，一般比击穿电压小。反向电压超过允许值时，在环境影响下，二极管有被击穿的危险。

　　3.击穿电压VB(V)：当二极管逐渐加上一定的反向电压时，反向电流突然增加，这时的反向电压叫反向击穿电压。这时二极管失去整流性能。

　　4.整流电流I(mA)I指二极管在正常使用时的整流电流平均值。

晶体三极管的结构和类型

　　 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
　　 发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

晶体三极管及其工作原理

　　晶体三极管系由俩个P—N结组合而成。根据组合方式的不同，有PNP型及NPN型两种。它们的工作原理是完全相同的。
　　晶体三极管的制造方法有生长法、合金法和扩散法等数种。出于生长法工艺复杂，质量控制困难，目前已被淘汰。合金法工艺简单，价格低廉，目前多采用此法生产。国产3AXl—5型晶体管即采用合金法制成。合金法制成的晶体管的缺点是结的厚度不易精确控制，因而工作频率不高。
　　扩散法的优点是P—N结的厚度可以精确控制，能获得很薄的扩散层，因而工作频率可以大大提高。国产3AGll一14即属此型，适易在高频下工作。
　　晶体三极管共有三个不同的导电区域，例如两个P型区夹着一个N型区(P—N—P)，或两个N型区夹着一个P型区N一P—N)，就做成了晶体三极管的基本部分——管芯。在每两个导电区之间都形成一个P—N结，所以无论是哪一种晶体三极管，都含有两个P—N结。按照它们不同的作用，分别叫做发射结和集电结。两个结把一块完整的晶体分成三个区。如果两边是空穴导电的P型区，而中间是电子导电的N型区，我们就称它为P—N—P型晶体三极管，反之，如果两边是N型区，中间是P型区，就叫N—P—N型晶体三极管。晶体三极管的三个区域，根据作用的不同，分别叫做发射区、基区和集电区，它们是三极管的三个电极，分别叫做发射极、基极和集电极。为方便起见，常以拉丁字母e、b、c表示。

[1] [2]  下一页