模拟电路网络课件 第八节:半导体BJT

文章摘要：。在近似分析时，可认为 ， 。3．特征频率fT：当考虑BJT的结电容影响时，BJT的电流放大系数b 随工作频率f 的升高而下降。当b下降为1时所对应的信号频率为特征频率fT。三、极限参数1．集电极最大允许电流ICM ICM是指BJT的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流。2．集电极最大允许功率损耗PCM PCM表示集电结上允许损耗功率的最大值。超过此值就会使管子性能变坏或烧毁。PCM= iCvCE 3．反向击穿电压 ① V（BR）EBO V（BR）EBO是指集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压。上一页 [1] [

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在近似分析时，可认为 ， 。

3．特征频率fT：当考虑BJT的结电容影响时，BJT的电流放大系数b 随工作频率f 的升高而下降。当b下降为1时所对应的信号频率为特征频率fT。

三、极限参数

1．集电极最大允许电流ICM

            ICM是指BJT的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流。

2．集电极最大允许功率损耗PCM

            PCM表示集电结上允许损耗功率的最大值。超过此值就会使管子性能变坏或烧毁。

PCM= iCvCE  

3．反向击穿电压

  ① V（BR）EBO

          V（BR）EBO是指集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压。

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