低压CM0S带隙基准电压源设计

文章摘要：2 仿真与结果分析 在Cadence设计平台下的Spectre仿真器中基于CSMC 0．5 μm CMOS工艺模型对电路进行了仿真。得到电路的温度特性曲线、直流电源抑制特性曲线、交流PSRR特性曲线、启动时间曲线如图4所示。各项仿真结果参数如表2所示。3 结语 在应用典型CMOS电压基准源的基础上，综合一级温度补偿、电流补偿技术，设计了带隙电压基准源电路。该带隙基准源电路的电源工作范围为1．6～4 V，工作温度为-10～+130℃，基准输出电压VREF为(650．5±0．5)mV，温度系数可低至2．0 ppm／℃，电源抑制比为-70 dB。仿真结果证明了设计的正确性。上一页 [1

低压CM0S带隙基准电压源设计,标签：电源电路,电路设计,http://www.88dzw.com

2 仿真与结果分析
    在Cadence设计平台下的Spectre仿真器中基于CSMC 0．5 μm CMOS工艺模型对电路进行了仿真。得到电路的温度特性曲线、直流电源抑制特性曲线、交流PSRR特性曲线、启动时间曲线如图4所示。各项仿真结果参数如表2所示。

3 结语
    在应用典型CMOS电压基准源的基础上，综合一级温度补偿、电流补偿技术，设计了带隙电压基准源电路。该带隙基准源电路的电源工作范围为1．6～4 V，工作温度为-10～+130℃，基准输出电压VREF为(650．5±0．5)mV，温度系数可低至2．0 ppm／℃，电源抑制比为-70 dB。仿真结果证明了设计的正确性。

上一页  [1] [2] [3]