Multisim 10中的MCU模块如何进行单片机协同仿真

文章摘要： 其原理是加电瞬间或按键按下到松开之间，电容无电荷，两端电压为0V，单片机的RST引脚的电压瞬间被提升到VCC(5V)。加电之后或按键松开，电容开始充电，两端电压逐渐增加，电阻的电压（RST引脚电压）由5V逐渐降低，因而延长了复位引脚保持高电平的时间。实际器件对复位持续时间的要求一般在两个机器周期，所以100微秒的复位时间要求51单片机的晶振频率不低于0.24MHz。当然一般情况下是根据晶振频率确定C1和R1的值，这可以根据求解一阶微分方程得到其充放电时间，或参考单片机的用户手册。调试程序 选择菜单MCU→MCU 8051 U1→Debug View，可以看到文本区上面有下

Multisim 10中的MCU模块如何进行单片机协同仿真,标签：单片机开发,单片机原理,http://www.88dzw.com
      其原理是加电瞬间或按键按下到松开之间，电容无电荷，两端电压为0V，单片机的RST引脚的电压瞬间被提升到VCC(5V)。加电之后或按键松开，电容开始充电，两端电压逐渐增加，电阻的电压（RST引脚电压）由5V逐渐降低，因而延长了复位引脚保持高电平的时间。实际器件对复位持续时间的要求一般在两个机器周期，所以100微秒的复位时间要求51单片机的晶振频率不低于0.24MHz。当然一般情况下是根据晶振频率确定C1和R1的值，这可以根据求解一阶微分方程得到其充放电时间，或参考单片机的用户手册。

调试程序
      选择菜单MCU→MCU 8051 U1→Debug View，可以看到文本区上面有下拉菜单并有两种选择，对应反汇编（disassembly）和列表汇编（listing assembly），简单的说，前者是由ROM的内容得到，后者是源文件编译后的结果。双击“设计工具箱”的main.asm，在源文件编辑窗口右键单击语句为“MOVC A,@A+DPTR”的一行，选择“设置/清除断点”（Toggle Breakpoint）,在左侧会出现一个实心圆，点击“运行”，程序将停在该行，只不过是在“调试视图”（Debug View）的列表汇编窗口下，同时在实心圆上多出了一个黄色箭头。点击MCU-> MCU 8051 U1->Memory View，打开MCU存储器视图，在该视图可以查看特殊函数寄存器（SFR），内部RAM(IRAM)，内部ROM（IROM），外部RAM（XRAM）。在SFR表格内观察ACC的值，此时应该为“00”，在IRAM里观察地址为21H的值，因为“MOV SP,#20H”语句将21H作为堆栈的第一个存储字节的地址，断点的前一处语句“PUSH ACC”使该字节存储ACC的值，此时也为“00”。再点“运行”，程序第二次停在断点处，观察SFR中的ACC和IRAM中的21H，如图9所示应，两个单元格里的值都应为“01”，你还可以双击该单元格进行修改，该值也正是七段数码管即将显示的下一个数。点击MCU菜单，可以看到除了设置断点以外还可单步进入（Step into），遇到函数时进入函数内部；跳过（Step over），即不进入函数；跳出（Step out），即跳出函数到调用函数的下一条语句。　　　　
 
图9 MCU存储器视图

结束语
　本文以一个简单的电路介绍了在NI Multisim下如何进行SPICE模型（这里主要指C1和R1）和8051 MCU的协同仿真。NI Multisim10不但有多种编译和调试功能，还提供了RAM，ROM，键盘，液晶屏等外设，是初学单片机的理想工具。掌握了基本的硬件结构，汇编指令和调试方法后，读者可以利用Multisim开发更复杂的系统并仿真，为下一步设计实际的硬件电路做准备。
    说明：因为单片机的电流是有限制的，不能太大，否则会烧毁单片机的。所以应在数码管的CA端和VCC端之间接一个限流电阻（100欧姆）；或者在单片机与数码管之间接入一个排阻（7个）也可以，这样仿真时就不会烧毁单片机了。

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