场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数

文章摘要：当VDS 增加到使VGD=VGS(th)时，相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断，此时的漏极电流ID基本饱和。当VDS增加到 VGD<VGS(th)时，预夹断区域加长，伸向S极。 VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， ID基本趋于不变。当VGS＞VGS(th)，且固定为某一值时，VDS对ID的影响，即iD=f(vDS)|VGS=const这一关系曲线如图02.16所示。这一曲线称为漏极输出特性曲线。二、伏安特性1． 非饱和区非饱和区（Nonsaturation Region）又称可变电阻区，是沟道未被预夹断的工作区。由不等式VGS>VGS(th)

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当VDS 增加到使VGD=VGS(th)时，相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断，此时的漏极电流ID基本饱和。
当VDS增加到 VGD<VGS(th)时，预夹断区域加长，伸向S极。 VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， ID基本趋于不变。

当VGS＞VGS(th)，且固定为某一值时，VDS对ID的影响，即iD=f(vDS)|VGS=const这一关系曲线如图02.16所示。这一曲线称为漏极输出特性曲线。



二、伏安特性

1． 非饱和区
非饱和区（Nonsaturation Region）又称可变电阻区，是沟道未被预夹断的工作区。由不等式VGS>VGS(th)、VDS<VGS-VGS(th)限定。理论证明，ID与VGS和VDS的关系如下：


2．饱和区
饱和区(Saturation Region)又称放大区，是沟道预夹断后所对应的工作区。由不等式VGS>VGS(th)、VDS>VGS-VGS(th) 限定。漏极电流表达式：

在这个工作区内，ID受VGS控制。考虑厄尔利效应的ID表达式：

3．截止区和亚阈区
VGS<VGS(th)，沟道未形成，ID=0。在VGS(th)附近很小的区域叫亚阈区（Subthreshold Region）在这个区域内，ID与VGS的关系为指数关系。

4．击穿区
当VDS 增大到足以使漏区与衬底间PN结引发雪崩击穿时，ID迅速增加，管子进入击穿区。


四、P沟道EMOS场效应管
在N型衬底中扩散两个P+区，分别做为漏区和源区，并在两个P+之间的SiO2绝缘层上覆盖栅极金属层，就构成了P沟道EMOS管。


耗尽型MOS（DMOS）场效应管
N 沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图3-5所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当VGS=0时，这些正离子已经感应 出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当VGS＞0时，将使ID进一步增加。VGS＜0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减 小，直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表示，有时也用VP表示。N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线见图所 示。


N沟道耗尽型MOSFET的结构和转移特性曲线

P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。

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