IPD

文章摘要： IPD-集成有功率MOSFET、电源控制电路和保护电路的单片化智能电源器件。IPD的控制方式是采用电流型控制方式,漏电极里流过的电流不能超过表1所示的极限电流。正常工作时,变压器是非连续工作方式,工作比(duty)是由以下解析式决定的。但是,当启动时的工作比变成很大的情况下,在IPD内部设立的最大工作比(标准值=67%)以上的期间里,并不流通电流加以限制。D=tON/T=LP×ILIMIT/VIN×T,式中, LP是变压器原边电感, ILIMIT是漏极电流极限值,T是振荡周期; tON是输出MOSFET通导时间。当电源启动时,电源电路各点的波形如图3所示。输入电压一建立起来,便由漏极

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     IPD-集成有功率MOSFET、电源控制电路和保护电路的单片化智能电源器件。

IPD的控制方式是采用电流型控制方式,漏电极里流过的电流不能超过表1所示的极限电流。正常工作时,变压器是非连续工作方式,工作比(duty)是由以下解析式决定的。但是,当启动时的工作比变成很大的情况下,在IPD内部设立的最大工作比(标准值=67%)以上的期间里,并不流通电流加以限制。

D=t_ON/T=L_P×I_LIMIT/V_IN×T,式中, L_P是变压器原边电感, I_LIMIT是漏极电流极限值,T是振荡周期; t_ON是输出MOSFET通导时间。当电源启动时,电源电路各点的波形如图3所示。输入电压一建立起来,便由漏极向旁路电容器充电;当充电流使旁路电容器的端电压(VBP)上升到5.7V时,则输出功率MOSFET开始振荡。这时漏极电流(I_DRAIN)被限制到极限电流值(I_LIMIT)以内。输入电压建立期间内,功率MOSFET还处于关断状态,电流从漏极端流入旁路电容器进行充电,控制VBP电压经常维持在5.7V。

电源的原边开始振荡,输出电压Vo上升,由光电耦合器发出的反馈电流(IFB)增加。当这个反馈电流大于50μA时,则控制输出的功率MOSFET停止振荡。电源向负载供应电流,输出电压一出现下降,反馈电流相应地减少,驱使功率MOSFET开始振荡。这种反馈操作是自动地返复进行的,控制输出电压Vo维持恒定。也就是说,功率MOSFET,按照负载用电情况进行间歇振荡,轻负载时MOSFET停止振荡期间长,重负载时停止振荡期间很短。实际运行结果表明,轻负载时比重负载时的振荡次数大幅度减少,待机状态是最轻负载状态,开关损耗明显降低。