电压驱动MOSFET栅极的原理电路图
[09-13 19:51:43] 来源:http://www.88dzw.com 光电电路图 阅读:8245次
文章摘要:用电流互感器二次绕组感应电压驱动MOSFET栅极的原理电路如图所示。电流首先通过MOSFET寄生二极管流通,于是,电流互感器二次绕组上产生感应电压,此电压超过门限电压时对MOSFET栅极充电,电流通过MOSFET沟道流通。开始流经寄生二极管的电流产生约IV的压降,但流经MOSFET沟道时,只有其导通电阻产生的较低压降,无其他电压降,即进行同步整流。图中的原理电路不能原封不动地用于高速开关整流,原因有二:其一,电流波形近似方波,栅极高速充电电流大部分流经寄生二极管,失去导通电阻产生低压降的优越性;其二,开关器件由导通转为截止时,栅极放电若有延时,延时部分的电流为反向电流,产生较大损耗。为此,需要
电压驱动MOSFET栅极的原理电路图,标签:光电电路,电路图讲解,http://www.88dzw.com 用电流互感器二次绕组感应电压驱动MOSFET栅极的原理电路如图所示。电流首先通过MOSFET寄生二极管流通,于是,电流互感器二次绕组上产生感应电压,此电压超过门限电压时对MOSFET栅极充电,电流通过MOSFET沟道流通。开始流经寄生二极管的电流产生约IV的压降,但流经MOSFET沟道时,只有其导通电阻产生的较低压降,无其他电压降,即进行同步整流。图中的原理电路不能原封不动地用于高速开关整流,原因有二:其一,电流波形近似方波,栅极高速充电电流大部分流经寄生二极管,失去导通电阻产生低压降的优越性;其二,开关器件由导通转为截止时,栅极放电若有延时,延时部分的电流为反向电流,产生较大损耗。为此,需要增设MOSFET栅极高速充放电的驱动电路。电流互感器的二次侧能取出较高的电压,但其阻抗很高,获得的电流很小,因此,需在互感器与MOSFET栅极之间增设电流放大器,从输出电压中获取功率供给电流放大器。
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图 电压驱动MOSFET栅极的原理电路图
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