窄脉冲驱动的电路图

[09-13 20:54:15]   来源:http://www.88dzw.com  单片机电路图   阅读:8442

文章摘要:图所示为窄脉冲也能加足够反向偏置的电路。图(a)所示电路中,当VT1导通时,电流通过R,流经VT3的基极,同时作为反向偏置电源的电容C也进行充电。若VT1截止,二极管VD2使反向偏置的VT2导通,电容C的能量反向加到VD2的基极。如果VT2中的载流子完全扫出结束,通过R2把NSI上的电压反向加到VT3的基极。对于图(b)所示电路,反向偏置电源C的电压也是通过R2获得,工作原理与图(a)相同。开关晶体管加反向偏置时,若增加反向电流Ib2,开关特性会得到较大改善。然而,反向偏置时,安全工作区变窄,而且晶体管截止时电压上升速度与电压值都增大,因此,需要增设电压吸收电路,避免晶体管进入二次击穿区域。电

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  图所示为窄脉冲也能加足够反向偏置的电路。图(a)所示电路中,当VT1导通时,电流通过R,流经VT3的基极,同时作为反向偏置电源的电容C也进行充电。若VT1截止,二极管VD2使反向偏置的VT2导通,电容C的能量反向加到VD2的基极。如果VT2中的载流子完全扫出结束,通过R2把NSI上的电压反向加到VT3的基极。对于图(b)所示电路,反向偏置电源C的电压也是通过R2获得,工作原理与图(a)相同。

  开关晶体管加反向偏置时,若增加反向电流Ib2,开关特性会得到较大改善。然而,反向偏置时,安全工作区变窄,而且晶体管截止时电压上升速度与电压值都增大,因此,需要增设电压吸收电路,避免晶体管进入二次击穿区域。

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  图 窄脉冲驱动的电路

  



  
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