晶闸管损坏原因判别区分-可控硅损坏原因分析判断
[09-12 11:24:53] 来源:http://www.88dzw.com 电路基础 阅读:8429次
文章摘要:当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏,而其在控制极附近或就在控制极上。3、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。欢迎转载,信息
晶闸管损坏原因判别区分-可控硅损坏原因分析判断,标签:电子电路基础,模拟电路基础,http://www.88dzw.com当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。
1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。
2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。
电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏,而其在控制极附近或就在控制极上。
3、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。
欢迎转载,信息来自(www.88dzw.com)
Tag:电路基础,电子电路基础,模拟电路基础,电路基础
《晶闸管损坏原因判别区分-可控硅损坏原因分析判断》相关文章
- › 晶闸管损坏原因判别区分-可控硅损坏原因分析判断
- 在百度中搜索相关文章:晶闸管损坏原因判别区分-可控硅损坏原因分析判断
- 在谷歌中搜索相关文章:晶闸管损坏原因判别区分-可控硅损坏原因分析判断
- 在soso中搜索相关文章:晶闸管损坏原因判别区分-可控硅损坏原因分析判断
- 在搜狗中搜索相关文章:晶闸管损坏原因判别区分-可控硅损坏原因分析判断
编辑推荐
分类导航
最新更新
- · 什么是系统仿真
- · 什么是CPCI
- · 英特尔 Parallel Composer入门
- · 什么是支持数据库,什么是中宏数据库
- · 什么是数据交换技术
- · 什么是内部数据传输率
- · 什么是空间数据交换中心
- · 什么是差异备份
- · 什么是备份集
- · 什么是映像备份
热门排行
- · IGBT模块
- · 什么是24脉波整流变压器
- · 自动变速器不能强制降挡故障原因、诊断与排
- · 什么是MD机
- · 中心频率,什么是中心频率
- · 功率单位mw和dbm的换算表
- · 中值滤波模块设计思路
- · 反馈振荡器的原理
- · 气体激光器简介
- · 数制与进位记数法