半导体器件参英文缩写与中文全称对照

[09-12 11:38:39]   来源:http://www.88dzw.com  电路基础   阅读:8431

文章摘要:半导体器件参英文缩写与中文全称对照 A 宽频带放大AM 调幅CC 恒流CHOP 斩波、限幅C-MIC 电容话筒专用D 变频换流DC 直流DIFF 差分放大DUAL 配对管DUAL-GATE 双栅四极FM 调频GEP 互补类型HA 行输出级HF 高频放大(射频放大)HG 高跨导HI-IMP 高输入阻抗HI-REL 高可靠性LMP-C 阻抗变换L 功率放大MAP 匹配对管MIN 微型MIX或M 混频MW 微波NF 音频(低频) N-FET 硅N沟道场效应晶体管P-FET 硅P沟道场效应晶体管GE-N-FET 锗N沟道场效应晶体管GE-P-FET 锗P沟道场效应晶体管GaAS-FET 砷化镓结型N

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半导体器件参英文缩写与中文全称对照

 

A 宽频带放大
AM 调幅
CC 恒流
CHOP 斩波、限幅
C-MIC 电容话筒专用
D 变频换流
DC 直流
DIFF 差分放大
DUAL 配对管
DUAL-GATE 双栅四极
FM 调频
GEP 互补类型
HA 行输出级
HF 高频放大(射频放大)
HG 高跨导
HI-IMP 高输入阻抗
HI-REL 高可靠性
LMP-C 阻抗变换
L 功率放大
MAP 匹配对管
MIN 微型
MIX或M 混频
MW 微波
NF 音频(低频)

N-FET 硅N沟道场效应晶体管
P-FET 硅P沟道场效应晶体管
GE-N-FET 锗N沟道场效应晶体管
GE-P-FET 锗P沟道场效应晶体管
GaAS-FET 砷化镓结型N沟道场效应晶体管
SB肖特基势垒栅场效应晶体管
 MES 金属半导体场效应晶体管(一般为N沟道,若P沟道则在备注栏中注明)

HEMT 高电子迁移率晶体管
SENSE FET 电流敏感动率MOS场效应管
SIT 静电感应晶体管
IGBT 绝缘栅比极晶体管
ALGaAS 铝家砷

O 振荡
S 开关
SW-REG 开关电源
SYM 对称类
TEMP 温度传感
TR 激励、驱动
TUN 调谐
TV 电视
TC 小型器件标志
UHF 超高频
UNI 一般用途
V 前置/输入级
VA 场输出级
VHF 甚高频
VID 视频
VR 可变电阻
ZF 中放
V-FET V型槽MOSFET
MOS-INM MOSFET独立组件
MOS-ARR MOSFET陈列组件
MOS-HBM MOSFET半桥组件
MOS-FBM 全桥组件
MOS-TPBM MOSFET三相桥组件


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