差分BiCMOS采样电路仿真设计

文章摘要：6 结论 采用0.25μm SiGe BiCMOS工艺，在全差分折叠式BiCMOS运放的基础上设计了S／H电路。文中设计的S／H电路，采用下极板采样和改进型自举开关新技术，从而提高了采样速率和线性度。由实验数据可知，设计的全差分折叠式BiCMOS运放具有高增益、高精度和高增益带宽性能，运放中在关键部位、选用有限数目的BJT使电路拥有较快的转换速率和大电流驱动能力，且运放的建立时间有所降低；而新设计的双通道共模反馈(CMFB)电路，既稳定了静态工作点，又改善了温度稳定性；另外，所设计的S／H电路中的采样开关统一设置为CMOS开关，故功耗大为降低。由于当fI=10 MHz，fS=25

差分BiCMOS采样电路仿真设计,标签：模拟电子技术基础,模拟电子电路,http://www.88dzw.com

6  结论

    采用0.25μm SiGe BiCMOS工艺，在全差分折叠式BiCMOS运放的基础上设计了S／H电路。文中设计的S／H电路，采用下极板采样和改进型自举开关新技术，从而提高了采样速率和线性度。由实验数据可知，设计的全差分折叠式BiCMOS运放具有高增益、高精度和高增益带宽性能，运放中在关键部位、选用有限数目的BJT使电路拥有较快的转换速率和大电流驱动能力，且运放的建立时间有所降低；而新设计的双通道共模反馈(CMFB)电路，既稳定了静态工作点，又改善了温度稳定性；另外，所设计的S／H电路中的采样开关统一设置为CMOS开关，故功耗大为降低。由于当fI=10 MHz，fS=250 MHz时S／H电路的仿真结果满足了10位精度ADC的性能要求，所以该款S／H电路对于高速、低压、低耗的ADC和其他微处理器及信号调理电路的设计都具有指导作用。

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