CMOS 集成电路使用操作准则

  • 名称:CMOS 集成电路使用操作准则
  • 类型:单片机学习
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  • 更新时间:09-10 23:30:11
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《CMOS 集成电路使用操作准则》简介

标签:单片机开发,单片机原理,
所有 MOS 集成电路 (包括 P 沟道 MOS, N 沟道 MOS, 互补 MOS — CMOS 集成电路) 都有一层绝缘栅,以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护,虽然如此,器件内的保护网络还不足以免除对器件的静电损害(ESD),实验指出,在高电压放电时器件会失效,器件也可能为多次较低电压放电的累积而失效。

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