CMOS RF开关可避免潜在的砷化镓问题

  • 名称:CMOS RF开关可避免潜在的砷化镓问题
  • 类型:接口技术
  • 授权方式:免费版
  • 更新时间:09-10 23:59:18
  • 下载要求:无需注册
  • 下载次数:6984
  • 语言简体中文
  • 大小:6.38 MB
  • 推荐度:3 星级
《CMOS RF开关可避免潜在的砷化镓问题》简介

标签:接口技术资料下载,
手机的rf天线开关对手机性能至关重要,而且还得满足互相严重冲突的信号要求。为首次使cmos工艺技术满足手机天线的需求,peregrine semiconductor公司宣称用蓝宝石基soi(绝缘体上外延硅)工艺技术制造的两种rf天线开关首次实现cmos与天线的直接互连。据该公司总裁兼首席执行官james s cable说,该公司pe4261型双频gsm手机用的单片四掷(sp4t)开关和pe4263 型四频段gsm手机用单片六掷(sp6t)开关表明,这种专有工艺技术能提供等同于gaas(砷化镓)的性能,而且还具有很多众所周知的cmos优点——虽然仅适用于0~3ghz的频段。, 大小:6.38 MB
Tag:接口技术接口技术资料下载接口技术