3D集成电路将如何同时实现

文章摘要：TSV也可以在CMOS器件制造完成之后制作。在键合工艺之前完成，或者在键合工艺之后完成。由于CMOS器件已经制作完成，因此在通孔形成时晶圆不需要再经受高温处理，所以可以使用铜导电材料。很明显，制作这些通孔的空白区域需要在设计芯片时就予以考虑。如果可以选择，无论是FEOL还是BEOL方案，只要是在晶圆代工厂制作TSV，都是相对简单的选择。BEOL互连层是一个拥有不同介质和金属层的复杂混合体。刻蚀穿透这些层很困难，而且是由不同产品具体决定的。在完整的IC制造之后通过刻蚀穿透BEOL层来制作TSV会阻碍布线通道，增加布线复杂性并增加芯片尺寸，可能会需要一个额外的布线层。既然诸如TSMC（中国台湾省台

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　　TSV也可以在CMOS器件制造完成之后制作。在键合工艺之前完成，或者在键合工艺之后完成。由于CMOS器件已经制作完成，因此在通孔形成时晶圆不需要再经受高温处理，所以可以使用铜导电材料。很明显，制作这些通孔的空白区域需要在设计芯片时就予以考虑。

　　如果可以选择，无论是FEOL还是BEOL方案，只要是在晶圆代工厂制作TSV，都是相对简单的选择。BEOL互连层是一个拥有不同介质和金属层的复杂混合体。刻蚀穿透这些层很困难，而且是由不同产品具体决定的。在完整的IC制造之后通过刻蚀穿透BEOL层来制作TSV会阻碍布线通道，增加布线复杂性并增加芯片尺寸，可能会需要一个额外的布线层。既然诸如TSMC（中国台湾省台北）和特许（新加坡）等晶圆厂已宣称他们有意向量产化TSV制造，那么在IC制造工艺中制作通孔将成为一个更切实可行的选择。

　　减薄

　　大多数3D IC工艺中，单个IC的厚度都远低于75 μm。

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