电子镇流器变压器用微晶材料研究及应用

[09-13 17:04:49]   来源:http://www.88dzw.com  控制技术   阅读:8472

文章摘要:采用差热分析仪测定微晶材料的晶化温度Tx和居里温度Tc;用D-5X射线衍射仪测定材料的晶化相以及晶化度。四.材料研制结果1. 成份与材料特性关系在Fe基非晶添加Cu主要利用其在铁中的不可溶性、在热处理中首先析出,形成微晶体的晶核,添加Nb Mo V等元素,有利于提高非晶体的晶化温度,一旦析出α-Fe(Si)晶体时,在其周围形成富Nb、Mo等元素的高晶化温度的非晶相,从而抑制了 -Fe(Si)微晶相的长大。为此我们配制了六种不同的Mo、Nb、V的加入量,其晶化特性为表2。 由六种合金成份测得的热差分析,反映出Fe基微晶材料在其晶化过程中的一些特点:(1) 含Nb量高有利于提高非晶态的晶化温度,加

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  采用差热分析仪测定微晶材料的晶化温度Tx和居里温度Tc;用D-5X射线衍射仪测定材料的晶化相以及晶化度。

  四.材料研制结果

  1. 成份与材料特性关系

  在Fe基非晶添加Cu主要利用其在铁中的不可溶性、在热处理中首先析出,形成微晶体的晶核,添加Nb Mo V等元素,有利于提高非晶体的晶化温度,一旦析出α-Fe(Si)晶体时,在其周围形成富Nb、Mo等元素的高晶化温度的非晶相,从而抑制了 -Fe(Si)微晶相的长大。为此我们配制了六种不同的Mo、Nb、V的加入量,其晶化特性为表2。

  

  由六种合金成份测得的热差分析,反映出Fe基微晶材料在其晶化过程中的一些特点:

  (1) 含Nb量高有利于提高非晶态的晶化温度,加Mo其次、加V较差。

  (2) 合金中加Nb、加Mo有利拉开晶化过程Fe峰和FeB峰间距,加V较差。拉开这两个峰鉴定间距,是形成优异磁性能微晶材料的关键。

  (3) 加Nb、加Mo较易成带,加V合金制带较困难,必须同时添加Mo或Nb才能成带。

  上述成带的五种合金都具有较好的软磁性能,前三种合金的性能较佳,矫顽力较低,且热处理较易控制。从制带成材率、磁性能高低、热处理性能一致性及材料的价格因素等全面衡量,选取定LH-M-2号合金。

  2. 所用合金性能

  从表3、图2、图3、图4、图5的常规磁特性参数中,可以看出本合金具有极佳的高频特性,某些性能指标在当前国内外资料报道上还未见到,如

  

=27.13W/kg,

  

=63W/kg。

  

  

 
图2 本合金退火后回线

  

  图3 本合金经横磁场处理后回线

  

  图4 本合金p~f曲线

  

  图5 本合金 ~f曲线

  五.材料应用情况

  本材料应用在DBN-1型霓虹灯电子镇流器上。

  DBN-1型电子镇流器电路图

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