现代功率模块及器件应用技术

文章摘要： 2）饱和区域 在开关过程中，一旦IC只是由外部电路所决定，便处于所谓的饱和区域，也被称作导通状态（输出特性中的陡斜部分）。导通特性的主要参数是IGBT的残余电压VCEsat（集电极－发射极饱和压降）。至少对于高截止电压的IGBT器件来说，由于n－漂移区的少子泛滥，使得IGBT的饱和压降明显低于同类型MOSFET的通态压降。图10 正如前面所提到过的，PT型IGBT的VCEsat在额定电流区域内随温度的升高而下降。而对于NPT型IGBT来说，它则随温度的增加而增加。1.3.2.3 反向特性 在反向运行状态下，如图10中第三象限所示，IGBT集电极端的pn结处于截止状态。因此，

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    2）饱和区域 在开关过程中，一旦IC只是由外部电路所决定，便处于所谓的饱和区域，也被称作导通状态（输出特性中的陡斜部分）。导通特性的主要参数是IGBT的残余电压VCEsat（集电极－发射极饱和压降）。至少对于高截止电压的IGBT器件来说，由于n－漂移区的少子泛滥，使得IGBT的饱和压降明显低于同类型MOSFET的通态压降。

图10

    正如前面所提到过的，PT型IGBT的VCEsat在额定电流区域内随温度的升高而下降。而对于NPT型IGBT来说，它则随温度的增加而增加。

1.3.2.3 反向特性

    在反向运行状态下，如图10中第三象限所示，IGBT集电极端的pn结处于截止状态。因此，与MOSFET不同的是，IGBT不具备反向导通的能力。

    尽管IGBT结构中存在着一个高阻的pin二极管，但目前的IGBT的反向截止电压仅在数十V上下，尤其对于NPT型IGBT来说更是如此。究其原因，是在于设计芯片和它的边缘结构时，人们着重于追求高的正向截止电压和优化集电极端口的散热。

    对于某些特殊的，需要IGBT开关承受反向电压的应用来说，到目前为止全部采用了混合结构，即在模块中串联一个快速二极管。

    因此，IGBT模块在静态反向工作时，它的导通特性只是由外部的或者混合的二极管的特性来决定。 <--

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